第一百九十一章 氮化镓 (第2/2页)

随后，陈新登上了一辆开往中部内陆省份的高速列车。在一个不知名的县级市下了车。
　　
　　然后陈新用新身份租下了一个两室一厅的公寓，又花钱买了一辆二手的中型集装箱卡车。
　　
　　一系列布置完成后，陈新通过网络高价订购的一批高纯度的金属镓也顺利到货。
　　
　　这种曾经被门捷列夫预言过的金属元素主要用于电子工业和通讯领域，其化合物砷化镓非常重要的二代半导体，也是陈新制造相控阵雷达T/R组件的主要原材料。
　　
　　历史上，砷化镓于1964年进入实用阶段。
　　
　　砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。
　　
　　由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。
　　
　　用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外。还可以用于制作转移器件──体效应器件。
　　
　　不过虽然砷化镓是半导体材料中兼具多方面优点的材料，但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，并不适宜制作大功率器件。
　　
　　因此对于雷达的T/R组件而言，砷化镓器件功率小的缺陷性就显现出来了。
　　
　　这个时候，新一代半导体材料氮化镓开始进入各国科学家的视线。
　　
　　氮化镓一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料。也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。
　　
　　目前，GaN材料的研究与应用是全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起。被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
　　
　　它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
　　
　　对于信息时代的军队而言，这种材料的重要性就更加凸显了。
　　
　　不久前，超大就有消息称，美国雷声公司获得了美国国防部长办公室授予的荣誉，表彰其在参与氮化镓（GaN）制造改进项目竞争中取得的成绩。
　　
　　在美国，雷声公司已验证了其GaN生产工艺的可靠性。只要在制造成本上进行一定程度的压缩，相信几年后，氮化镓时代将会很快到来。
　　
　　当然了，对于陈新和钢镚而言，向军方大规模提供氮化镓制作的T/R组件根本不是什么问题，甚至比砷化镓还要简单许多。（未完待续）